简介： 本申请提供了一种d33模式铁电单晶薄膜压电振动传感器及其制备方法，通过将铌酸锂与带有氧化层的硅基底键合，再依次进行减薄、化学机械抛光和清洗，得到铌酸锂单晶薄膜；在铌酸锂铁电单晶薄膜表面利用溅射刻蚀法制备对准标记，在其表面采用溅射剥离法制备表面电极，并刻蚀铌酸锂单晶薄膜使其图形化，最后在硅基底正面形成质量块和悬臂，并从硅基背面对其进行释放制得产物。本申请的制备方法可将铁电单晶铌酸锂薄膜与带氧化层的硅基很好键合，并完成了宽频带、高电压输出的元器件的制备，工艺可行性和重复率高。本申请制得产物具有很高的机电转换效率、输出电压和低温环境输出性能下降小的特点。