负极及其制造方法
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负极及其制造方法
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简介: 本发明涉及负极及其制造方法。具体地,本发明提供如下的负极,所述负极包含集电器、形成在所述集电器上的第一活性材料层以及形成在所述第一活性材料层上的第二活性材料层,其中所述第一活性材料层包含碳基负极活性材料粒子,并且所述第二活性材料层包含硅氮化物。根据本发明的负极包含在所述第一活性材料层上的包含硅氮化物的第二活性材料层。所述硅氮化物的氮可以与锂离子反应而形成锂氮化物。因此,对于使用碳基负极活性材料的电极,由于未反应的锂离子而在负极的表面上析出锂的问题可以通过形成所述第二活性材料层来解决。另外,所述硅氮化物层可以含有Si纳米粒子,由此显示高容量,并且由于优异的离子传导性而可以产生高输出特性,同时由于锂氮化物而抑制Si纳米粒子的膨胀。
本发明涉及负极及其制造方法。具体地,本发明提供如下的负极,所述负极包含集电器、形成在所述集电器上的第一活性材料层以及形成在所述第一活性材料层上的第二活性材料层,其中所述第一活性材料层包含碳基负极活性材料粒子,并且所述第二活性材料层包含硅氮化物。根据本发明的负极包含在所述第一活性材料层上的包含硅氮化物的第二活性材料层。所述硅氮化物的氮可以与离子反应而形成锂氮化物。因此,对于使用碳基负极活性材料的电极,由于未反应的锂离子而在负极的表面上析出锂的问题可以通过形成所述第二活性材料层来解决。另外,所述硅氮化物层可以含有Si纳米粒子,由此显示高容量,并且由于优异的离子传导性而可以产生高输出特性,同时由于锂氮化物而抑制Si纳米粒子的膨胀。
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