简介： 本发明公开了光学晶体制备技术领域的一种非线性光学晶体的制备方法，该方法的具体步骤如下：S1：将含锂化合物基片切割成方形片，将其置入80～90℃的氢氟酸中煮10～20min，取出后用去离子水冲洗，并用氮气吹干；S2：将光刻胶溶液均匀喷洒至含锂化合物方形片的表面；S3：在烘干机中将光刻胶中的溶剂部分烘干；S4：在低气压下对含锂化合物方形片进行磁控溅射；S5：随后将含锂化合物方形片进行湿法腐蚀；S6：将含锂化合物方形片装入夹具并连入电路中进行极化处理，本发明具有较宽的激光波段，硬度适中，易于加工和保存，不会出现潮解的现象，利用该晶体所制成的非线性光学器件，在室温下，其激光强度是普通非线光学材料的1.5倍。