简介： 本发明提供一种半导体衬底的制备方法,包括:提供铝酸锂晶片,使用溅射法在所述铝酸锂晶片上沉积AlN膜层得到半导体衬底。本发明以铝酸锂晶体作为基底,然后在上面采用溅射法沉积AlN膜层制成半导体衬底,由于铝酸锂与GaN的晶格失配度小,作为GaN晶体生长的衬底时,易于制备GaN外延薄膜,并减少由应力引起的高缺陷密度。当在铝酸锂晶片上沉积与GaN晶体结构相同、晶格常数相近的AlN膜层时,可以解决由于铝酸锂晶体和GaN之间的热膨胀差异而导致的GaN外延片开裂的问题。而且,AlN作为缓冲层还可以阻止铝酸锂衬底中Li的挥发,并保护铝酸锂衬底不受酸性或还原性气氛的腐蚀。