简介:
本发明涉及一种氨基吡啶基硅化合物,采用以下方法制备:(1)将氨基吡啶或其衍生物溶解在反应溶剂中,在-78~0℃搅拌条件下加入烷基锂溶液,氨基吡啶或其衍生物与烷基锂的摩尔比为1:1~1.2;恢复到室温后继续搅拌反应0.5~3小时,得到反应混合物;(2)将步骤(1)得到的反应混合物过滤,得到锂盐固体,将锂盐固体溶于有机溶剂中,得到锂盐溶液;(3)在-78~0℃按照锂盐与含硅反应物摩尔比1~4:1,向锂盐溶液中滴加含硅反应物或其溶液,升至一定温度反应3~10小时;(4)将步骤(3)得到的反应混合物进行过滤,滤液浓缩后结晶或减压蒸馏得到氨基吡啶基硅化合物。本发明所述化合物可以在集成电路生产中用于制备氮化硅、含碳氮化硅等薄膜。
本发明涉及一种氨基吡啶基硅化合物,采用以下方法制备:(1)将氨基吡啶或其衍生物溶解在反应溶剂中,在-78~0℃搅拌条件下加入烷基
锂溶液,氨基吡啶或其衍生物与烷基锂的摩尔比为1:1~1.2;恢复到室温后继续搅拌反应0.5~3小时,得到反应混合物;(2)将步骤(1)得到的反应混合物过滤,得到锂盐固体,将锂盐固体溶于有机溶剂中,得到锂盐溶液;(3)在-78~0℃按照锂盐与含硅反应物摩尔比1~4:1,向锂盐溶液中滴加含硅反应物或其溶液,升至一定温度反应3~10小时;(4)将步骤(3)得到的反应混合物进行过滤,滤液浓缩后结晶或减压蒸馏得到氨基吡啶基硅化合物。本发明所述化合物可以在集成电路生产中用于制备氮化硅、含碳氮化硅等薄膜。