简介： 本发明是一种LAF系列晶体的坩埚下降生长方 法, 其特征在于, 采取低温固相氟化处理的方法和软坩埚下降方法。以NH4F为氟化剂, 在80～150℃的温度下加热进行为期3～4周的低温减压脱水, 然后在300℃左右经24小时的减压氟化, 再在560度以上的温度下抽真空烧结, 软坩埚下降方法是以铂金薄片在0.06——0.15mm厚度制作坩埚, 其尺寸为φ8——25mm, X250——300mm, 晶体生长界面温度为770——820℃, 温度梯度控制在20——30℃/cm左右, 向上向下逐步减小, 生长速度每天5——10mm, 直至生长完成。