硫酸锂钠非线性光学晶体及其制备方法和用途
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硫酸锂钠非线性光学晶体及其制备方法和用途
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简介: 本发明涉及一种硫酸锂钠非线性光学晶体及其制备方法和用途,该晶体的分子式为LiNaSO4,分子量为125.986,属于三方晶系,空间群为P31c,晶胞参数为:a=7.600(4) Å,b=7.600(4) Å,c=9.827(10) Å,V=491.5(6) Å3。采用恒温蒸发法生长晶体。该晶体的非线性光学效应约为0.3倍KDP(KH2PO4),光学带隙宽度为7.09eV,紫外截止边为175 nm,对(深)紫外、可见及近红外波段具有较高的透过率,适合制作非线性光学器件。
本发明涉及一种硫酸钠非线性光学晶体及其制备方法和用途,该晶体的分子式为LiNaSO4,分子量为125.986,属于三方晶系,空间群为P31c,晶胞参数为:a=7.600(4) Å,b=7.600(4) Å,c=9.827(10) Å,V=491.5(6) Å3。采用恒温蒸发法生长晶体。该晶体的非线性光学效应约为0.3倍KDP(KH2PO4),光学带隙宽度为7.09eV,紫外截止边为175 nm,对(深)紫外、可见及近红外波段具有较高的透过率,适合制作非线性光学器件。
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