简介： 本发明提供一种用于锂电保护的开关器件及其制作方法，该开关器件包括：P+型衬底及P‑型外延层；N型阱区；两个P型阱区；两个栅极结构；共用的N‑型漂移区，形成于两个栅极结构之间；N型源区及P+型接触区；介质层，所述介质层中打开有两个源区接触窗口及一体区接触窗口，所述体区接触窗口内的所述P‑型外延层被去除形成直至所述P+型衬底的沟槽；以及填充于所述源区接触窗口、体区接触窗口及所述沟槽内的电极材料。本发明采用共用漂移区的方式构建MOSFET器件，使得漂移区区域电阻可以大大降低，同时保证耐压不变。将其中一个源区电极通过与体区电极的方式引到芯片背面，封装时可与基底焊接，省掉一个打线电阻，在极低的内阻要求下非常有效。