简介： 本申请实施例提供了一种二氧化锡薄膜材料、锂电池及制备方法，所述二氧化锡薄膜材料，包括二氧化锡缓冲层，所述二氧化锡缓冲层上设有采用生长工艺生长的二氧化锡纳米柱阵列，其中，所述二氧化锡缓冲层的厚度为50‑150nm，所述二氧化锡纳米柱阵列中二氧化锡纳米柱的高度为3‑5μm。由以上技术方案可见，本申请实施例采用自支撑结构的二氧化锡薄膜‑二氧化锡纳米柱，由于不需要粘结剂涂片，大大减低成本并显著提高容量，而且二氧化锡纳米柱在二氧化锡薄膜上生长牢固，提高了循环稳定性。