简介： 本发明提供一种改善石英衬底铌酸锂调制器芯片频率特性的结构与方法。该结构包括：载体芯片；设置在载体芯片上表面的有地共面波导结构以及设置在调制器芯片上表面的无地共面波导结构；分别设置在有地共面波导结构两端的芯组互联结构；设置在载体芯片下表面的金属接地层；分别设置在第一接地区域上的多个金属接地孔；分别设置于第一接地区域上和/或第二接地区域上的多个接地微凸点；设置在行波传输线两端的输入电极和输出电极；设置在输入电极上和/或宽带传输线的输入端上的输入微凸点；设置在输出电极上和/或宽带传输线的输出端上的输出微凸点；调制器芯片的上表面设置在载体芯片的上表面。本发明能够提升接地连续性，进而提升芯片工作频率。