简介： 本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种基于超薄氧化锂高k介电层薄膜晶体管的制备方法，选用低阻硅作为基底和栅电极，采用热退火的方式制备超薄Li2O栅介电层和高透过率、化学稳定性良好的In2O3半导体沟道层，进一步制备高性能、低能耗的TFT器件；其工艺简单，原理可靠，低成本，能耗少，制备的产品性能好，应用前景广阔，为大面积制备高性能的薄膜晶体管提供可行性方案。