铌酸锂滤波器中添加高速层的杂散剪切水平模式频率控制
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铌酸锂滤波器中添加高速层的杂散剪切水平模式频率控制
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简介: 本发明涉及一种铌酸锂滤波器中添加高速层的杂散剪切水平模式频率控制。具体地,涉及一种电子器件,包括第一表面声波(SAW)谐振器和第二SAW谐振器,每个SAW谐振器具有交错的叉指换能器(IDT)电极,第一SAW谐振器和第二SAW谐振器形成在同一压电基板上,第一SAW谐振器具有IDT电极,该IDT电极具有与第二SAW谐振器的IDT电极不同的指间距;介电材料层,设置在第一SAW谐振器和第二SAW谐振器的IDT电极上;高速层,设置在被配置于第一SAW谐振器的IDT电极上的介电材料层内,第二SAW谐振器不具有在被配置于IDT电极上的所述介电材料层内设置的高速层。
本发明涉及一种铌酸滤波器中添加高速层的杂散剪切水平模式频率控制。具体地,涉及一种电子器件,包括第一表面声波(SAW)谐振器和第二SAW谐振器,每个SAW谐振器具有交错的叉指换能器(IDT)电极,第一SAW谐振器和第二SAW谐振器形成在同一压电基板上,第一SAW谐振器具有IDT电极,该IDT电极具有与第二SAW谐振器的IDT电极不同的指间距;介电材料层,设置在第一SAW谐振器和第二SAW谐振器的IDT电极上;高速层,设置在被配置于第一SAW谐振器的IDT电极上的介电材料层内,第二SAW谐振器不具有在被配置于IDT电极上的所述介电材料层内设置的高速层。
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