简介： 均质掺镁铌酸锂(MgO：LiNbO3)单晶的生长属 于单晶生长领域。本发明的特征是：按三元摩尔总量 等于100％计算，使用Li2O/Nb2O5＝(47.2±0.3)/ (52.8∴0.3)(摩尔比)，MgO含量为4.0-7.0摩尔％ 的MgO：LiMbO3均质组成，在1220℃～1270℃的炉 温下，以1～3毫米/小时的提拉速度，10～25转/ 分钟的旋转速度，用提拉法生长MgO：LiNbO3单晶 体。经极化处理后所获得的晶体具有良好的光学均 匀性。采用本方法生长的MgO：LiNbO3单晶，无生 长条纹和包裹体等宏观缺陷，具有良好的化学组成均 匀性。