简介： 本发明涉及一种提高碳/碳‑锂铝硅接头剪切性能的方法，首先利用可控氧化的方法在硅基陶瓷改性层表面构造一种蜂窝状多孔结构，然后使玻璃中间层在热压过程中与改性层形成交错咬合的镶嵌界面结构。本发明通过镶嵌界面结构的设计，显著地提高了改性层与玻璃中间层的有效连接面积，一定程度上解决了界面弱结合的问题。通过该方法制备的C/C‑LAS接头，平均剪切强度达到32.46±1.35MPa，相比专利1的梯度接头提高了35％。通过构建镶嵌界面结构，增加了改性层与中间层的有效连接面积，一定程度上解决了界面弱结合的问题，显著提高了C/C‑LAS接头的剪切强度。