简介： 本发明涉及半导体材料加工技术领域，尤其是一种大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片加工方法，该方法包括切片、倒角、研磨800、黑化、研磨2000和抛光步骤；所述研磨800步骤和研磨2000步骤中均采用双面研磨机，在22℃±2℃下，研磨加压方式采用分段缓慢加压方式；所述抛光步骤中采用双面抛光机，在22℃±2℃下，设备最大转速为6‑10rpm，采用SiO₂抛光液，比重为1.06‑1.20，抛光加压方式采用分段缓慢加压方式。因加压时采用缓慢、逐渐加压的方式，极大减小了划伤、碎片、裂片等情况，同时搭配本发明的夹具，可以有效地减少塌边、爆边、研磨不充分等情况，极大提高了生产的良品率，摆脱厂家半导体机台设备应用的牵引。