简介： 本发明公开了一种栅极衬底控制电路、锂电池及其保护芯片的保护装置，栅极衬底控制电路包括多个电平转换电路、多个输入端、第二MOS管、第三MOS管、第二电阻和第四MOS管，第二MOS管的源极和衬底连接VDD端，第二MOS管的漏极与第三MOS管的源极和衬底连接，第二电阻的一端连接第三MOS管的漏极且另一端连接第四MOS管的漏极，第二MOS管的栅极与第四MOS管的栅极连接后连接其中一个电平转换电路的VGATE1N端。本发明通过两个P沟道MOS管串联，来减少每个P沟道MOS管的电压值，从而提高栅极衬底控制电路的抗尖峰电压和耐直流电压的能力，进而提高锂电池保护芯片及其保护装置的耐压能力。