简介： 一种在铝酸锂晶片上低温制备氮化铝薄膜的方法，将抛光的(100)γ－LiAlO2晶片置于流动或密封氨气气氛环境中，在室温至800℃的温度范围内，保温0.1至120小时，对(100)γ－LiAlO2晶片表面进行氮化处理，在(100)γ－LiAlO2晶片表面获得一层高度c轴取向的(0001)氮化铝薄膜。这种表面覆盖有(0001)氮化铝薄膜的(100)γ－LiAlO2晶片的表面粗糙度明显降低，稳定性得到明显提高。用本发明方法制备的氮化(100)γ－LiAlO2晶片可作为衬底用于外延制备GaN、氮化铝、InGaN、ZnO等宽禁带半导体薄膜、厚膜以及功能器件。