简介： 本发明涉及一种制备基于铝酸锂衬底单芯片白光LED的方法，采用飞秒激光器在铝酸锂衬底上分区域刻蚀出纳米尺寸的凹槽形成图形化纳米结构，每个区域刻蚀出具有不同深度的凹槽，然后在此结构上生长InGaN/GaN量子阱，不同区域可发射出不同波长的光，这些光的复合产生白色光。单芯片LED不需要在表面涂敷荧光粉，仅靠单芯片本身的发光就能实现白光发射，可以大大降低成本。