简介： 本发明涉及存储技术领域，且公开了镁原子掺杂硫化钼并用于高性能锂离子存储的方法，包括以下步骤：首先制备MBs前体，将钼酸铵溶解在去离子水中，然后加入硫酸使溶液酸化；然后在磁搅拌3‑5h下将镁粉添加到溶液中；当反应1‑2h完成后，溶液颜色从透明转移到深蓝色，表明获得了MBs前体溶液；接着制备Mg‑MoS2样品，向制备的MBs溶液中添加硫脲；溶解硫脲后，将溶液转移至聚四氟乙烯内衬不锈钢高压反应釜中，并在190‑200℃下反应4‑5h；冷却至室温后，过滤沉淀；再用去离子水和乙醇清洗数次；最后，通过在50‑70℃下真空干燥后获得Mg‑MoS2沉淀，本发明所有这些特性使掺镁1T MoS2成为锂离子电池中一种很有前途的负极材料，新开发的合成方法将为金属掺杂1T MoS2的制造提供新的前景。