简介： 在钽酸锂基片中,防止了在基片的表面电荷的累积而产生的火花,从而防止对LT基片表面形成的梳型结构的破坏和LT基片内的裂纹等。此外,在光刻方法中,避免进入LT基片的光线从LT基片的后表面反射回前表面,防止对梳型结构分辨率破坏。在从LT晶体制备LT基片的制备过程中,在晶体生长后,将坯料形式的LT基片包埋在碳粉末中,或置于碳容器中,然后维持650℃至1650℃的温度至少4小时进行热处理。