简介： 本发明公开了一种铌酸锂脊型光波导的制备方法，选择光学级Z切0.35mm厚的同成份铌酸锂晶片作为基底，在240℃下进行轻质子交换接近20小时，制成平面波导，质子源采用苯甲酸和苯甲酸锂的混合物；在+Z面平面波导上采用紫外光刻制作出条宽近2‑4μm、厚度为近100‑200nm的SiO₂掩模；将做好掩模的晶片在240℃下再进行质子交换近1小时，所得到的交换层厚度近0.7μm，质子源为纯苯甲酸；室温下进行湿法刻蚀近4小时，将质子交换层全部刻蚀掉，得到刻蚀后的脊高近0.7μm，刻蚀液采用体积比HF:HNO3＝1:3的HF‑HNO3混合液。本发明所制备出的脊型光波导表面光滑、损耗低、高质量；避免了高温退火环节，更好的保留了波导区域的晶向结构；整体工艺环节少，难度相对较低，降低了制作成本。