简介:
本发明公开了一种微波介质基板用低介电常数的高Q值锂基陶瓷材料,合成物表达式为Li2Mg3Ti1‑x(MpNbq)xO6,其中M=Li(p=1/4,q=3/4)或Zn(p=1/3,q=2/3),x=0.01~0.1;先将Li2CO3、TiO2、MgO、ZnO和Nb2O5按化学计量式配料,经过球磨、烘干、过筛后于900~1100℃预烧,再经过二次球磨、烘干、过筛后进行造粒,再压制成生坯,于1285℃~1360℃烧结,制成高Q值锂基陶瓷材料。本发明在微波频段下,最佳烧结温度为1310℃以下,具有低的介电常数εr值13.25~13.87,同时兼具高的品质因数Qf值132,509~160,865GHz,该陶瓷体系制备工艺简单,由其制作成的微波介质基板具有广泛的应用前景。
本发明公开了一种微波介质基板用低介电常数的高Q值
锂基陶瓷材料,合成物表达式为Li
2Mg
3Ti
1‑x(M
pNb
q)
xO
6,其中M=Li(p=1/4,q=3/4)或Zn(p=1/3,q=2/3),x=0.01~0.1;先将Li
2CO
3、TiO
2、MgO、ZnO和Nb
2O
5按化学计量式配料,经过球磨、烘干、过筛后于900~1100℃预烧,再经过二次球磨、烘干、过筛后进行造粒,再压制成生坯,于1285℃~1360℃烧结,制成高Q值锂基陶瓷材料。本发明在微波频段下,最佳烧结温度为1310℃以下,具有低的介电常数ε
r值13.25~13.87,同时兼具高的品质因数Qf值132,509~160,865GHz,该陶瓷体系制备工艺简单,由其制作成的微波介质基板具有广泛的应用前景。