微波介质基板用低介电常数高Q值的锂基陶瓷材料
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微波介质基板用低介电常数高Q值的锂基陶瓷材料
来源:北方有色网
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简介: 本发明公开了一种微波介质基板用低介电常数的高Q值锂基陶瓷材料,合成物表达式为Li2Mg3Ti1‑x(MpNbq)xO6,其中M=Li(p=1/4,q=3/4)或Zn(p=1/3,q=2/3),x=0.01~0.1;先将Li2CO3、TiO2、MgO、ZnO和Nb2O5按化学计量式配料,经过球磨、烘干、过筛后于900~1100℃预烧,再经过二次球磨、烘干、过筛后进行造粒,再压制成生坯,于1285℃~1360℃烧结,制成高Q值锂基陶瓷材料。本发明在微波频段下,最佳烧结温度为1310℃以下,具有低的介电常数εr值13.25~13.87,同时兼具高的品质因数Qf值132,509~160,865GHz,该陶瓷体系制备工艺简单,由其制作成的微波介质基板具有广泛的应用前景。
本发明公开了一种微波介质基板用低介电常数的高Q值基陶瓷材料,合成物表达式为Li2Mg3Ti1‑x(MpNbq)xO6,其中M=Li(p=1/4,q=3/4)或Zn(p=1/3,q=2/3),x=0.01~0.1;先将Li2CO3、TiO2、MgO、ZnO和Nb2O5按化学计量式配料,经过球磨、烘干、过筛后于900~1100℃预烧,再经过二次球磨、烘干、过筛后进行造粒,再压制成生坯,于1285℃~1360℃烧结,制成高Q值锂基陶瓷材料。本发明在微波频段下,最佳烧结温度为1310℃以下,具有低的介电常数εr值13.25~13.87,同时兼具高的品质因数Qf值132,509~160,865GHz,该陶瓷体系制备工艺简单,由其制作成的微波介质基板具有广泛的应用前景。
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