简介： 本发明公开了一种表面吸附锂离子的范德华异质结光电二极管器件结构，属于半导体技术领域，包括：源极：空穴注入的单层硼烯，漏极：电子注入的单层C₄N₄，光敏结构：包括本征单层硼烯与本征单层C₄N₄垂直堆叠形成的范德华异质结；以及分别与本征单层硼烯和C₄N₄连接的源漏极；其中硼烯和C₄N₄的能带结构呈现交错方式的能带重排。其中，在硼烯的上表面设置以HfO₂为材质的介电层和上金属电极作为顶栅，在C₄N₄的下表面设置以BN为材质的介电层和下金属电极作为底栅，形成双栅极结构。分别在上下表面的栅极上设置门电压，通过双门压调控发光二极管电子传输的非对称性；本发明的结构能够解决现有技术中无法有效调控范德华异质结层间肖特基势垒的问题。