简介： 本发明的课题是提供一种温度、时间等相关的处理条件的管理容易而且体积电阻值的面内分布极少的铌酸锂(LN)基板及其制造方法。本发明的解决方案是使用通过切克劳斯基法培养成的LN单晶制造LN基板的方法，其特征在于，将单晶中的Fe浓度为50质量ppm以上且1000质量ppm以下并且被加工成基板的状态的LN单晶，埋入Al粉末中或者埋入Al和Al2O3的混合粉末中，在450℃以上且小于500℃的温度条件下进行热处理，以此来制造体积电阻率被控制在1×108Ω·cm以上且在1×1010Ω·cm以下的范围的铌酸锂单晶基板。