简介： 本发明公开了一种基于铌酸锂单晶薄膜的声学纵向剪切波谐振器，所述谐振器自上而下依次包括叉指电极层、压电薄膜层、底电极层以及基底；其中，压电薄膜层的材质为单晶铌酸锂，该单晶铌酸锂的切向为X切，30°Y方向。本发明采用了X‑cut，30°Y传LN，此切向的LN具有最大的机电耦合系数，并且将金属电极的厚度尽可能做薄。本发明中的YBAR可以实现55％的机电耦合系数。