简介： 本发明公开了一种原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD）修饰的锂离子电池及其制备方法，本发明公开的原子层沉积修饰的锂离子电池正、负极活性物质材料至少择一表面形成有修饰层，所述修饰层采用原子层沉积工艺形成；或者正、负极极片至少择一表面形成有修饰层，所述修饰层采用原子层沉积工艺形成。