简介： 本发明涉及一种微晶玻璃晶化方法,具体是一种锂-铝-硅系统低膨胀微晶玻璃晶化方法及其专用晶化辊道窑。其特征是将由压延法生产的微晶玻璃板裁切成块,单层直接置于微晶玻璃晶化辊道窑中进行晶化,其晶化工艺条件包括:预热、升温晶核、恒温晶化、急速降温、缓速降温,晶化周期为135-176分钟,晶化温度为870±5℃。本发明不仅具有节约能源、生产效率高、产品合格率高和综合生产成本低等优点,同时,由于免用碳化硅夹板和隔离氧化镁粉,为无尘操作,既改善操作工人的工作环境,也有利于环保。