简介： 本发明涉及使用铌酸锂化学机械抛光液对铌酸锂晶体高精密加工抛光后表面清洁技术。采用水抛实现的表面洁净,水抛液的主要化学成分包括活性剂、螯合剂、阻蚀剂和去离子水。当碱性抛光刚刚完成后,马上用上述水抛液并采用大流量水抛的方法,将残留的抛光液冲走,同时迅速降低表面张力、形成单分子钝化膜、并可使金属离子形成可溶的螯合物,从而达到洁净、完美的抛光表面。并且该水抛方法具有成本低、不污染环境及腐蚀设备的优点。