简介： 一种化学计量比铌酸锂单晶的制备方法，其特征 在于它是采用电阻加热液相外延炉，在低于铌酸锂(以下简称 LN)熔点(1260±15℃)和居里点(1150±10℃)的结晶温度下，将 非化学计量比LN单晶衬底从含有助溶剂K2O的LN饱和溶液中高速旋转并缓慢提拉的过程中，在非化学计量比LN单晶衬底上生长化学计量比的LN单晶。采用本发明方法可在非化学计量比LN单晶上生长出一定厚度的化学计量比LN单晶，无需极化即为单畴晶体，具有较高的光学均匀性和质量，可以满足日益发展的光电技术的市场需求。