简介： 本发明目的提供一种钽酸锂的黑化处理方法；一种无氧富锂浓度气氛条件下，高温（居里温度以下）处理钽酸锂、铌酸锂晶片的工艺方法，通过此工艺方法可提高晶片的电导率，迅速消除由于温度变化而产生的表面电荷，不产生电荷累积，达到减弱热释电效应的目的。