简介： 本发明提出一种钽酸锂晶片异质键合的方法，包括以下步骤：将单晶硅片与钽酸锂晶片相对设置，保持单晶硅片表面的薄膜层与钽酸锂晶片相对设置，放入键合机；中温加热，并维持至少1h，完成一次键合，形成一次键合体；将一次键合体放入退火炉，高温加热退火，完成二次键合；其中，单晶硅片表面的薄膜层与碳酸锂晶片层为异种材质；发明采用中温一次键合之后，又基于两种材质热膨胀系数不同的特性，设计了高温二次键合，即退火工艺，通过退火改变两层之间的结合键的类型，增强两层之间的结合力，避免层与层之间的剥离。