简介： 本发明公开了一种钽酸锂黑片的制作方法，1）将第Ⅳ族非金属元素粉末和碳酸盐粉末按质量比进行称料并混合均匀，得到包埋料；2）将待处理的钽酸锂晶片放入坩埚容器中，加入包埋料，将晶片完全包埋，然后将坩埚放入热处理炉中；3）在真空或惰性或还原性流动气氛下，将钽酸锂晶片加热至保温温度；4）在保温温度下保温10‑40小时；5）保温结束后，降至室温，取出钽酸锂晶片即可，黑片制作完成。本方法在不影响钽酸锂压电性能以及单畴性的前提下大幅度降低了晶片的电阻率，减弱甚至消除晶片自身具有的热释电效应，增强了可见光区的吸收能力，提高器件制作过程中光刻精度。