简介： 本发明提供一种铌酸锂光芯片脊形波导的制备方法，属于光芯片技术领域。因为在铌酸锂层与硬掩膜层之间设置了阻挡层，所以，在刻蚀硬掩膜层时，使得单位面积密度不同的两个区域的条状结构刻蚀均停止于阻挡层，所以，提高了刻蚀的均匀性和一致性。另外，铌酸锂具有较大的非线性光学系数、透光范围宽、透过率高，在刻蚀铌酸锂层的过程中，因为设置有阻挡层，所以，减少了两个密度分布不均的区域中条状结构之间的深度差异，并克服了不同区域条状结构中光源的串扰，从而提高了光芯片的光学性能。