简介： 本发明公布了一种钽酸锂薄膜离子束增强沉积制备工艺方法，涉及功能材料薄膜的制备技术。该工艺方法选用以高纯度醋酸锂与五氧化二钽经过压制烧结而成溅射靶，用高纯Ar气产生的氩离子束对靶材进行轰击，在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上溅射沉积均匀、致密、与衬底粘附良好、与CMOS工艺兼容、低介电损耗、低漏电、高剩余极化强度的钽酸锂薄膜。所制备的钽酸锂薄膜，结晶择优取向为、；剩余极化强度在10-20μC/cm2之间；在测试电场400kV/cm作用下漏电流为4.76×10-8A/cm2；介电损耗为0.045。