简介： 本发明公开了一种铈掺杂硼酸镥锂晶体的制备方法，涉及晶体生长领域。本发明的铈掺杂硼酸镥锂晶体的化学式为Li6CexLu1‑xB3O9，x的取值范围是0＜x≤0.1；其制备方法为：将高纯氧化物原料事先合成，在坩埚下降法生长炉内生长晶体，本发明的制备方法与提拉法相比，优点是：温度场稳定，组分不易挥发，成品率高，生长的晶体尺寸和外形可以控制，小的温度梯度使晶体不易开裂，有效解决了熔体成分挥发和晶体开裂的技术难题，实现大尺寸硼酸镥锂晶体的稳定生长。另外，本发明的制备方法设备简单，操作方便，能耗低，生长效率高、成本低，可实现工业化生产。