简介： 本发明公开了一种基于金刚石晶格的半导体材料，涉及半导体技术领域。所述半导体材料为在所述衬底表面均匀铺设含有锂元素的粉末，以含碳和含氮的混合气体作为气体源，采用化学气相沉积法在衬底上生长出的薄膜，另外，本发明还提出一种相应的制造设备。本发明能够阻止锂原子掺入金刚石后扩散聚集成锂团簇，保证了锂原子在晶格中的活性状态。