简介： 本发明涉及一种铌酸锂电光调制器芯片，特别涉及一种低直流漂移铌酸锂电光调制器芯片，属于铌酸锂电光调制器技术领域。本发明将直流偏置电极区域的二氧化硅层去除，将直流偏置电极直接制备在铌酸锂晶体表面。同时，保留了行波电极下的二氧化硅层，不会影响光波与微波的速度匹配。即保证了调制器的高频性能，又降低了调制器的直流漂移。