简介： 本发明提出了一种利用浮区法生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法，头部原料为富锂原料，其余部分为化学计量比原料，通过观察原料棒状态，判断当生长室温度达到适合晶体生长时，移动籽晶和原料棒连接到一起，使富锂的原料部分始终集中在热源中心保持熔融，随着晶体生长，化学计量比原料随时补充熔体中组分，使得熔体中组分保持稳定，晶体结晶中的组分才能保持稳定；本发明通过对原料棒结构的优化设计，首次利用浮区法制备得到近化学计量比铌酸锂单晶，晶体组分更接近化学计量比，结晶效率更高；使用少量富锂原料即可完成连续加料所完成的效果，由于原料中大量缩减了昂贵的碳酸锂的使用，极大的降低了生产成本。