简介： 本发明涉及到电池的技术领域，公开了高密度硅锂钽电池及其制作工艺方法，其中的方法，包括步骤有，S1制备正极片，通过激光在钴酸锂基材表面喷涂钽氧化物，喷涂钽氧化物过程中控制均匀喷涂，所述的钴酸锂基材在制备之中使用钴酸锂与NCM三元材料制作为膏体，然后铺平面之后经过高温固化、加压，最后再切割；S2制备负极片，使用石墨与ACET混合制作为膏体，然后铺平面之后经过高温固化、加压，最后再切割；S3然后使用硅锗半导体做隔膜的材料；S4然后将正极片、负极片、隔膜与电解质叠层制作单体电池并在外表面覆膜。