简介： 本发明涉及一种控制铁电薄膜取向生长技术。本发明基于铌酸锂具有自发极化这一事实提出了用外加电场诱导铌酸锂薄膜取向生长的方法。在薄膜生长系统中垂直于薄膜的方向施加一个低电场,使生长中的薄膜铁电畴沿电场方向取向排列,从而达到取向生长目的。可以用脉冲激光闪蒸法、化学气相淀积、磁控溅射等多种技术实现这一方法。本发明施加电场和薄膜生长合二为一,两者原位同步进行。所需的电场可以是极低的,在10V/cm量级。