简介： 本发明属于晶体加工技术领域的一种铌酸锂晶体的新型单畴化工艺，包括在硅碳棒退火炉中放置直径及高度均大于铌酸锂晶棒30mm的99氧化炉坩埚，将铌酸锂晶棒放置在99氧化铝坩埚中部，在铌酸锂晶棒上、下端均覆盖8～11mm厚多晶料块体层，在上下多晶料块体层上覆盖极性相反的第一电极片和第二电极片，使硅碳棒退火炉的炉温升至1150～1200℃并保温12个小时，保温过程中以铌酸锂晶棒的光轴方向按2mA/cm²施加电流；开始降温并停止施加电流，使硅碳棒退火炉的炉温降至室温。本发明工艺简单，生产成本低，可使铌酸锂晶体的单畴化完成度由60％提高至100％；同时避免了金属离子的侵入和晶体共融问题，晶体光电特性较好。