简介： 本发明涉及一种双导电层包覆内嵌尖晶石的富锂锰基正极材料及其制备方法和应用。所述尖晶石晶畴均匀分散在富锂锰基晶粒内，质量和占所述富锂锰基正极材料的质量分数为0.5％‑10％，可提供3D离子通道。所述双导电层为源于氟化石墨的石墨化碳层以及LiF层，双导电层质量和占所述富锂锰基正极材料的质量分数为1％‑10％。