简介： 本发明公开了一种快响应铌酸锂晶体，所述的铌酸锂晶体进行了铟铀双掺杂，In离子以In2O3的形式掺入，掺杂量为2～6 mol%，铀离子以UO2的形式掺入，掺杂量为0.6～2 mol%。本发明还提供了上述快响应铌酸锂晶体的制备方法，通过固相烧结法合成双掺铌酸锂多晶粉料，选择CLN籽晶，将籽晶固定在铂金坩埚底部，然后将掺杂的多晶料装入铂金坩埚中封好，将头尾两端密封后置于氧化铝保温管中；然后将保温管置于晶体生长炉内，加热使多晶料得到充分熔化，利用坩埚下降法生长晶体。本发明实现了快响应速度以及高质量铟铀双掺铌酸锂晶体的生长，并且工艺设备简单，可同时生长多根晶体。