简介： 一种坩埚下降法生长近化学计量比铌酸锂单晶 的方法，其特征在于它是采用电阻加热温梯炉生长的，包括如 下步骤：在坩埚的籽晶槽内放入定向籽晶；选定并 按Li2CO3和Nb2O5的比例配料，混合 均匀，用压料机压块成形后，直接装入坩埚中，加上坩埚盖， 置于电阻炉中；加热升温，熔体温度达1160～1200℃，熔 融LN多晶料，使其成为饱和溶液，恒温2～6小时；以0.1－1 毫米/小时的速率下降坩埚、生长晶体，待晶体结晶完毕，缓慢降 温至室温。选用碳酸锂和氧化铌为原料，其中碳酸锂的克分子比 为(54～63)％。本发明的克服了在先技术的设备复杂、质量不稳 定、尺寸小和成本高等缺点，适宜批量生产，可满足光电子技术 迅猛发展的市场需求。