简介： 本发明公开了一种基于反应离子刻蚀的钽酸锂微图形化方法，属于半导体技术领域，具体涉及钽酸锂晶体微图形化，以解决各层材料间应力较大使图案易被破坏的问题，包括：在光刻胶表面依次镀Ti金属掩膜和Cr金属掩膜；用剥离法在钽酸锂基底表面制备出金属掩膜图案；采用氟基等离子体对制备出金属掩膜图案的钽酸锂基底进行反应离子刻蚀；采用氩等离子体对钽酸锂基底进行30s‑2min物理轰击，以去除在样品表面形成的氟化锂和氟化钽酸盐等高沸点难挥发性物质；重复上述刻蚀步骤，直至完成钽酸锂基底的微图形化。在钽酸锂基底上制作微米级深度的图形，同时达到图形的侧壁倾角大，沟槽表面光滑的目的，得到较高的金属掩膜的选择比，刻蚀深度较深。