简介： 本发明的课题是提供一种容易管理涉及温度、时间等的处理条件、体积电阻值的面内分布少并且由同一晶锭加工成的基板间的体积电阻率偏差少的铌酸锂(LN)基板的制造方法。本发明是使用通过丘克拉斯基法培养成的LN单晶制造LN基板的方法，其特征在于，将单晶中的Fe浓度为50质量ppm以上且2000质量ppm以下的、晶锭状态的铌酸锂单晶埋入Al粉末中或者埋入Al和Al₂O₃的混合粉末中，在450℃以上且小于铝的熔点660℃的温度条件下进行热处理，制造体积电阻率被控制在1×10⁸Ω·cm以上且2×10¹²Ω·cm以下的范围的铌酸锂单晶基板。