简介： 一种利用锂化法调节三维光子晶体带隙的方法，本发明涉及一种调节三维光子晶体带隙的方法，它为了解决现有调节三维光子晶体带隙的方法调节范围较窄、精度低的问题。调节三维光子晶体带隙的方法：一、铜箔垂直放入PS微球乳液中进行培养，得到生长有PS胶体模板的铜箔；二、将GeCl4加入(EMIM)TF2N中，得到电解液；三、使用三电极的电解池，采用恒电势法进行电沉积锗，得到三维锗薄膜；四、在三电极体系中进行嵌锂和脱锂过程，从而调节三维光子晶体带隙。本发明通过控制电压的方向，使具有三维光子晶体结构的锗薄膜相应地发生嵌锂及脱锂过程，由于Ge体积膨胀大，因此该方法的调节范围非常大。