氧化钇掺杂氟化锂坩埚及其采用热压烧结制坩埚的方法
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氧化钇掺杂氟化锂坩埚及其采用热压烧结制坩埚的方法
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简介: 本发明公开了一种氧化钇掺杂氟化锂坩埚及其采用热压烧结制坩埚的方法,氧化钇掺杂氟化锂坩埚的成分为每100g的氧化钇Y2O3中掺杂有0.5~5g的氟化锂LiF。在用于热压烧结的氧化钇Y2O3粒径为0.01~20μm,氟化锂LiF粒径为0.01~20μm。本发明氧化钇掺杂氟化锂坩埚使用温度为1600~2000℃,且在该温度环境下作为真空熔炼的器具,坩埚内表面未参与活性金属或合金的反应,从而提高了熔体的纯净度。
本发明公开了一种氧化钇掺杂氟化坩埚及其采用热压烧结制坩埚的方法,氧化钇掺杂氟化锂坩埚的成分为每100g的氧化钇Y2O3中掺杂有0.5~5g的氟化锂LiF。在用于热压烧结的氧化钇Y2O3粒径为0.01~20μm,氟化锂LiF粒径为0.01~20μm。本发明氧化钇掺杂氟化锂坩埚使用温度为1600~2000℃,且在该温度环境下作为真空熔炼的器具,坩埚内表面未参与活性金属或合金的反应,从而提高了熔体的纯净度。
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