简介： 本实用新型公开了一种薄膜铌酸锂器件，所述薄膜铌酸锂器件由下至上依次包括衬底、缓冲层、铌酸锂层、绝缘层和热电极，所述铌酸锂层为薄膜铌酸锂，所述铌酸锂层包括与热电极对应的热调相移区以及沿第一方向位于热调相移区两侧的铌酸锂波导，所述第一方向为光传导的方向；在铌酸锂层上设置有介质波导，所述介质波导与热电极位置对应并且位于铌酸锂层和热电极之间，所述铌酸锂波导和介质波导共同构成光波导。与现有技术相比，本实用新型的优点在于：通过在热电极的热调相移区形成介质波导，能够避免铌酸锂波导刻蚀产生的Z界面导致的热光偏置相位的改变，从而提供一种消除热电效应电荷积累的热光偏置结构，避免热光偏置工作点漂移。