简介： 本发明涉及一种对同成分铌酸锂晶片进行锂离子的扩散处理,特别是涉及提高铌酸锂中锂离子的浓度的工艺,以使晶片成为高锂浓度的近化学比铌酸锂晶片。本发明的技术方案是将同成分铌酸锂晶片置入坩埚中,用适量锂离子晶体粉末及钾离子晶体粉末将晶片覆盖,使离子晶体粉末熔化,熔液中,钾离子与锂离子数量比在0.2-0.5。并在熔融温度(1000-1200度)恒温1-200小时。随后,降温至室温,通过液体清洗和抛光,清理掉附着在晶片上的离子晶体残留物,最终获得高锂浓度的近化学比铌酸锂晶片,本工艺相对VTE来说,更为简单方便,更为经济。